晶格動力學與技術規格

核心技術模組

格里菲斯裂紋理論 (Griffith's Criterion)

解析無機材料脆性斷裂的力學機制:

$$\sigma_f = \sqrt{\frac{2E\gamma_s}{\pi c}}$$

其中 \(\sigma_f\) 為斷裂應力,\(E\) 為楊氏模量,\(\gamma_s\) 為表面能,\(c\) 為裂紋半長度。
介電損耗與 Q 值

展示陶瓷在微波頻段下能量損耗的物理規律。高 Q 值陶瓷是 5G/6G 通訊基站的核心材料,確保訊號傳輸的極低衰減。

燒結動力學模型

解析擴散、流動與蒸發凝聚對粉末緻密化的影響曲線。我們精確控制燒結過程中的晶粒生長,以達到理論密度的 99.9%。

技術指標摘要
  • 抗折強度: 800 - 1200 MPa
  • 熱膨脹係數: 3.0 x 10⁻⁶ /°C
  • 體積電阻率: > 10¹⁴ Ω·cm
  • 介電常數: 9.8 (at 10GHz)

材料技術數據表

材料名稱 密度 (g/cm³) 硬度 (HRA) 導熱係數 (W/m·K) 最高使用溫度 (°C)
氮化矽 (Si₃N₄) 3.2 92 30 1400
碳化矽 (SiC) 3.1 95 120 1600
氧化鋯 (ZrO₂) 6.0 88 2.5 2200
氧化鋁 (Al₂O₃) 3.9 85 35 1700